• Sections
  • H - électricité
  • H10B - Dispositifs de mémoire électronique
  • H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. des canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H10B 43/27

Brevets de cette classe: 1324

Historique des publications depuis 10 ans

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255
2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
292
Kioxia Corporation
9847
233
Micron Technology, Inc.
24960
174
SK Hynix Inc.
11030
154
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
1940
146
Sandisk Technologies LLC
5684
85
Lodestar Licensing Group LLC
583
46
Applied Materials, Inc.
16587
22
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
22
Macronix International Co., Ltd.
2562
21
Sunrise Memory Corporation
192
15
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1115
14
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10902
10
JPMorgan Chase Bank, National Association
10964
10
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1290
10
Intel Corporation
45621
6
Tokyo Electron Limited
11599
6
Monolithic 3D Inc.
270
6
Lam Research Corporation
4775
5
Intel NDTM US LLC
373
5
Autres propriétaires 42